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SiR800DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
80
64
48
V GS = 10 V thru 2 V
10
8
6
32
16
0
4
2
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.6
1.2
1.8
2.4
3.0
0.0034
0.0030
0.0026
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
6800
5440
4080
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.0022
0.0018
0.0014
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2720
1360
0
C rss
C oss
0
16
32
48
64
80
0
4
8
12
16
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 15 A
8
1.6
1.4
I D = 15 A
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 10 V
6
V DS = 5 V
1.2
V GS = 2.5 V
V DS = 10 V
4
2
0
V DS = 15 V
1.0
0.8
0.6
0
19
38
57
76
95
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 65738
S10-0637-Rev. A, 22-Mar-10
Q g - Total Gate Charge
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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